Číslo produktu výrobce:
IPI034NE7N3 G
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPI034NE7N3 G-DG
Popis:
MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3
Podrobný popis:
N-Channel 75 V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventář:
12804953
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPI034NE7N3 G Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
-
Řada
OptiMOS™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
75 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
100A (Tc)
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
3.4mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.8V @ 155µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
117 nC @ 10 V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
8130 pF @ 37.5 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
214W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO262-3
Balení / pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Základní číslo výrobku
IPI034N
Technický list a dokumenty
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
500
Další jména
IPI034NE7N3 G-DG
IPI034NE7N3G
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IRFSL3207ZPBF
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
880
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRFSL3207ZPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.46
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
IRF7455TRPBF
MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
IRLU8203PBF
MOSFET N-CH 30V 110A I-PAK
IPP110N20N3GXKSA1
MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
